美国和法国科学家最近研究出一种制造铜氧化物超导体的新技术，它将有助于研究铜氧化物的超导机制。
 　 铜氧化物的超导性能是1986年被首次发现，在高温超导研究中备受关注，但现有超导理论还不能很好地解释其超导机制。常规制备铜氧化物超导体的方法是往铜氧化物中掺入杂质元素，以改变内部的电子浓度。
 　 在最新出版的英国《自然》杂志上，美国贝尔实验室和法国巴黎第十二大学的研究人员报告了他们合作研究出的新方法：在铜氧化物单层晶体薄膜上制造一种称为场效应晶体管的电子元件，通过施加电压，就可以往铜氧化物层中掺入电子或空穴，从而使它具有超导能力。研究人员制备出的掺电子的铜氧化物最高临界温度为绝对温度89度，掺空穴的材料最高为绝对温度34度。